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砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，主要差异为二者的Detector不同(InGaAs-CCD 与Si-CCD)。当半导体制程不断进步，其组件尺寸持续微缩，相对地操作电压也会愈来愈低，使电子电洞对复合产生的光波长愈来愈长，已达传统Si-CCD的侦测极限。因InGaAs-CCD对长波长光线具有更高的侦测能力，同时运用在背向(back-side)检验时，无硅基材(Si-substrate)会吸收发光的干扰问题，已成为诊断**制程组件缺点的利器。
侦测的到亮点之情况：
会产生亮点的缺点 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。
侦测不到亮点之情况：
不会出现亮点的故障 - Ohmic short及metal short。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal。
InGaAs 本身有下列几项功能：
侦测 Defect 的时间,比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可侦测到 EMMI侦测不到的 Defect (可侦测到微小电流及**制程的 defect)。
愈**的制程愈需要 InGaAs 才能侦测到 Defect 点。
可侦测到较轻微的 metal bridge 及微小电流 (EMMI 完全侦测不到)。
关于宜特：
iST始创于1994年的**，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。